Selain prosesor dengan frekuensi clocking tinggi,
kecepatan pemrosesan data sebuah komputer ditentukan oleh kapasitas RAM (Randon
Access Memory). Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM,
DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya. Namun ternyata RAM saja belum cukup
untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Sayangnya kapasitas
RAM untuk saat ini masih terbatas pada hitungan gigabyte saja. Oleh karena itu,
berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan
komputer.
Memori ini diberi nama Magnetoresistive Random Access
Memory (MRAM), memori ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga lebih
hemat energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile
computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan
medan magnit. IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana
menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub
magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM)
teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur
Jerman.
Tidak seperti teknologi RAM konvensional, MRAM tidak
menyimpan data sebagai muatan atau arus listrik, tapi sebagai elemen
penyimpanan magnetis. Secara umum, MRAM diklaim jauh lebih cepat dibandingkan
dengan DRAM dan juga mengonsumsi daya lebih rendah. Selain itu, MRAM juga tidak
mengalami penurunan performa dalam jangka panjang. Sehingga koalisi menjadikan
MRAM sebagai “memori universal” untuk masa depan.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter,
akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus
listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan
magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub
medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10
kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa
depan. MRAM merupakan teknologi masa depan. Memori tak lagi disimpan dalam
bentuk elektronik, melainkan wujud magnetik. Beberapa hal yang diunggulkan dari
teknologi ini adalah biaya produksi yang lebih murah, flash memory yang tak
mudah menguap, hemat baterai, serta memungkinkan kmputer dapat menyala
seketika. Hebatnya bukan cuma komputer, teknologi chip MRAM bisa dimanfaatkan
untuk aplikasi telepon selular dan konsol permainan. Bahkan ketika kmputer
dimatikan, MRAM masih bisa menyisakan informasi di dalamnya. Kemampuan ini
memungkinkan komputer bisa start lebih cepat tanpa perlu melakukan booting
software lebih dulu.Untuk teknologi MRAM, Infinion menyebutnya dengan sebutan
ferro-electric RAM (Fe-RAM).
Keunggulan nyata MRAM adalah gabungan
keunggulan beberapa teknlogi RAM sebelumnya, yaitu high speed static RAM
(SRAM), kapasitas memori dan biaya produksi serendah DRAM, dan flash memori-nya
yang tak mudah menguap. Bila SRAM dan DRAM membutuhkan energi listrik dalam
menyimpan data, maka MRAM tak bergantung pada 100 persen. Akibatnya, bila
listrik padam, data tersimpan akan hilang seketika. MRAM masih dapat menyimpan
data kendati arus listrik terputus tiba-tiba. MRAM sebenarnya dapat menggantikan
semua memori di komputer, DRAM, flash dan bahkan cakram keras. MRAM juga dapat
bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). MRAM diaktifkan komputer
akan dapat segera terpasang (karena tidak akan ada perlu ada beberapa tipe
memori seperti hari ini). MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak
penyimpanan, dan juga hemat baterai.
Meski demikian, untuk memungkinkan MRAM tersedia secara
komersial membutuhkan investasi dan penelitian intensif untuk menurunkan biaya
dan meningkatkan densitas memori. Untuk saat ini, MRAM diperkirakan perlu biaya
sekitar 50 kali lebih mahal untuk diproduksi.
